Výhody zariadení z karbidu kremíka
V porovnaní so Si IGBT má SiC MOSFET vyššiu prevádzkovú frekvenciu a nižšiu stratu, a keď sa frekvencia výkonu zvyšuje, výhoda nižšej straty bude zrejmejšia.
SiC zariadenia majú hlavne tieto aplikačné výhody: nízke Rds (zapnuté), vydržia 200 stupňovú prevádzkovú teplotu, 10-násobok prevádzkovej frekvencie, nízke straty, nízke požiadavky na rozptyl tepla a malé rozmery.
Produktový rad Aundant Fuses pokrýva všetky relevantné oblasti nových energetických vozidiel (Pack, PDU, BDU, Elektrické ovládanie, Motor, MSD, nízkonapäťový káblový zväzok), Systém nabíjania a nabíjací modul, Fotovoltaická PV solárna spojovacia skrinka, fotovoltaický invertor, UPS napájací zdroj, napájanie 5G komunikácie, zástrčka BS UK, ovládací panel elektrických domácich spotrebičov, napájací zdroj pohonu osvetlenia atď.
Ak máte akékoľvek otázky týkajúce sa ponuky alebo spolupráce, neváhajte nám poslať e-mail na adresu holly@delfuse.com